Heterostructures of GaN with SiC and ZnO enhance carrier stability and separation in framework semiconductors
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Tomas Lazauskas Alexey A. Sokol Scott M Woodley Richard Catlow John Buckeridge Matthew R Farrow David Mora Fonz David Scanlon |
| Fecha de publicación | 9 de marzo de 2017 |
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| País de origen | |
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