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Nanoscale and Device Level Gate Conduction Variability of High-k Dielectrics-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structures

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Descripción
Autoría

autor: Francesca Campabadal  Montserrat Nafria  Marc Porti  Xavier Aymerich 

Fecha de publicación septiembre 2011
Idioma
País de origen
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Estatus de derecho de autor Desconocido
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