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Intrinsic Valence Band Study of Molecular-Beam-Epitaxy-Grown GaAs and GaN by High-Resolution Hard X-ray Photoemission Spectroscopy

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Descripción
Autoría

autor: Yasutaka Takata  Makina Yabashi  Daigo Miwa  Shik Shin  Jung Jin Kim  Kenji Tamasaku  Tetsuya Ishikawa 

Fecha de publicación 16 de julio de 2004
Idioma
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