Response to ‘‘Critique of (time)1/3kinetics of defect formation in amorphous Si:H and a possible alternative model—Comment on ‘Kinetics of the Staebler–Wronski effect in hydrogenated amorphous silicon’ ’’ [Appl. Phys. Lett.54, 398 (

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Descripción
Autoría	autor: Martin Stutzmann
Fecha de publicación	23 de enero de 1989
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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