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Effect of Annealing on the Properties of Indium−Tin−Oxynitride Films as Ohmic Contacts for GaN-Based Optoelectronic Devices

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Descripción artículo científico publicado en 2009
Autoría

autor: Stefan Krischok  Mircea Modreanu  Volker Cimalla  Marcel Himmerlich  Juergen R Schaefer 

Fecha de publicación 1 de julio de 2009
Idioma inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor Private domain
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