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Substitutional-Gate MOSFETs With Composite $( \hbox{In}_{0.53}\hbox{Ga}_{0.47}\hbox{As}/\hbox{InAs}/\hbox{In}_{0.53}\hbox{Ga}_{0.47}\hbox{As})$ Channels and Self-Aligned MBE Source–Drain Regrowth

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Autoría

autor: Susanne Stemmer  Arthur Gossard 

Fecha de publicación noviembre 2012
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