Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire

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Autoría	autor: Gilles Patriarche  Konstantinos Pantzas  Suresh Sundaram
Fecha de publicación	mayo 2013
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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