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Investigation of new approaches for InGaN growth with high indium content for CPV application

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Descripción
Autoría

autor: Gilles Patriarche  Paul L. Voss  Abdallah Ougazzaden  Renaud Puybaret  Youssef El Gmili  Sofiane Belahsene  Jérémy Streque  Jean Paul Salvestrini  Suresh Sundaram 

Fecha de publicación 2015
Idioma
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