Nanoselective area growth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy on 4H-SiC using epitaxial graphene as a mask
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Gilles Patriarche Paul L. Voss Abdallah Ougazzaden Renaud Puybaret Youssef El Gmili Jean Paul Salvestrini Suresh Sundaram |
| Fecha de publicación | 7 de marzo de 2016 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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