Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by electron irradiation and annealing

Imagen
Descripción	artículo científico publicado en 2009
Autoría	autor: Takeshi Ohshima
Fecha de publicación	diciembre 2009
Idioma
País de origen
Enlace a Wikipedia
Estatus de derecho de autor	Desconocido
¿Datos faltantes/errados?	Editar ítem de Wikidata