Thermal Histories of Defect Centers as Measured by Low Temperature Photoluminescence in n- and p-Type 4H SiC Epilayers Generated by Irradiation with 170 keV or 1 MeV Electrons

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Descripción
Autoría	autor: Takeshi Ohshima
Fecha de publicación	abril 2010
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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