Theoretical Optimization of Base Doping Concentration for Radiation Resistance of InGaP Subcells of InGaP/GaAs/Ge Based on Minority-Carrier Lifetime

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Autoría	autor: Takeshi Ohshima  Ahmed Ghitas  Dalia Elfiky
Fecha de publicación	20 de diciembre de 2010
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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