Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Takeshi Ohshima Yoshinori Matsushita Tomoaki Hatayama Masaya Ichimura Masashi Kato |
| Fecha de publicación | 3 de febrero de 2012 |
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| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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