Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors with Different Gate Oxide Thicknesses
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Takeshi Ohshima |
| Fecha de publicación | febrero 2014 |
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| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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