Observation of deep levels and their hole capture behavior in p-type 4H-SiC epilayers with and without electron irradiation

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Autoría	autor: Takeshi Ohshima  Kazuki Yoshihara  Tomoaki Hatayama  Masaya Ichimura
Fecha de publicación	1 de enero de 2014
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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