C-Face Interface Defects in 4H-SiC MOSFETs Studied by Electrically Detected Magnetic Resonance
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Takeshi Ohshima Shinsuke Harada Hajime Okumura Mitsuo Okamoto |
| Fecha de publicación | febrero 2014 |
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| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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