Stark tuning and electrical charge state control of single divacancies in silicon carbide
| Imagen |  |
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Takeshi Ohshima Jawad ul Hassan Nguyen Tien Son David Awschalom |
| Fecha de publicación | 25 de diciembre de 2017 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Private domain |
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