EPR studies of the isolated negatively charged silicon vacancies inn-type4H- and6H-SiC: Identification ofC3vsymmetry and silicon sites
| Imagen |  |
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Takeshi Ohshima Norikazu Mizuochi |
| Fecha de publicación | 23 de octubre de 2003 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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