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10 μ m-thick four-quadrant transmissive silicon photodiodes for beam position monitor application: electrical characterization and gamma irradiation effects

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Descripción
Autoría

autor: Philippe Godignon  Salvador Hidalgo  Judith Juanhuix  Giulio Pellegrini  David Quirion 

Fecha de publicación 2 de enero de 2017
Idioma
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