Many-body effects in highly acceptor-dopedGaAs/AlxGa1−xAsquantum wells
| Imagen |  |
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Bo Monemar Arthur Gossard |
| Fecha de publicación | 15 de agosto de 1998 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Private domain |
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