Photoluminescence study of Si-doped GaN∕Al0.07Ga0.93N multiple quantum wells with different dopant position
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | |
| Autoría |
autor: Bo Monemar |
| Fecha de publicación | 21 de junio de 2004 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Private domain |
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