Nanoscale structural and chemical analysis of F-implanted enhancement-mode InAlN/GaN heterostructure field effect transistors
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Giorgio Divitini Martin Frentrup Paul A J Bagot Colin Humphreys Tomas L. Martin Fengzai Tang Rachel Angharad Oliver Jon Barnard |
| Fecha de publicación | 14 de enero de 2018 |
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| País de origen | |
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