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Subnanometer Ga2O3 Tunnelling Layer by Atomic Layer Deposition to Achieve 1.1 V Open-Circuit Potential in Dye-Sensitized Solar Cells

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Descripción artículo científico publicado en 2012
Autoría

autor: Aravind Kumar Chandiran  Michael Grätzel  Nicolas Tétreault  Robin Humphry-Baker  Etienne Baranoff  Mohammad Khaja Nazeeruddin 

Fecha de publicación 6 de julio de 2012
Idioma inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor Private domain
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