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Erratum: “Gate-modulated conductance of few-layer WSe2 field-effect transistors in the subgap regime: Schottky barrier transistor and subgap impurity states” [Appl. Phys. Lett. 106, 152104 (2015)]

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Descripción
Autoría
Fecha de publicación 8 de febrero de 2016
Idioma inglés
País de origen
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