Achieving High-Quality Single-Atom Nitrogen Doping of Graphene/SiC(0001) by Ion Implantation and Subsequent Thermal Stabilization
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 2014 |
| Autoría |
autor: Pingo Mutombo Prokop Hapala François C. Bocquet Pavel Jelínek Jindřich Kolorenč Martin Švec Martin Vondráček |
| Fecha de publicación | 1 de julio de 2014 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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