Effect of InAlGaAs and GaAs Combination Barrier Thickness on the Duration of Dot Formation in Different Layers of Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Heterostructure Grown by MBE

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Descripción	artículo científico publicado en 2010
Autoría
Fecha de publicación	1 de agosto de 2010
Idioma	inglés
País de origen
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