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Effect of GaP strain compensation layers on rapid thermally annealed InGaAs∕GaAs quantum dot infrared photodetectors grown by metal-organic chemical-vapor deposition

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Descripción
Autoría

autor: Paul Harrison  Chennupati Jagadish  Lan Fu 

Fecha de publicación 13 de agosto de 2007
Idioma inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor Private domain
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