High Mobility N-Type Transistors Based on Solution-Sheared Doped 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene Thin Films

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Descripción
Autoría	autor: Zhenan Bao  Koen Vandewal  Scott Himmelberger
Fecha de publicación	1 de julio de 2013
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Private domain
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