Capacitance transient study of a bistable deep level in e−-irradiated n-type 4H–SiC
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Takeshi Ohshima Carl Hemmingsson Henrik Pedersen Erik Janzén Anne Henry |
| Fecha de publicación | 16 de octubre de 2012 |
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| País de origen | |
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