Improved Performance of In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As-Based Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors with Al:ZrO$_{2}$ Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition

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Descripción
Autoría	autor: Marco Fanciulli  Sabina Spiga  Alessandro Molle  Claudia Wiemer
Fecha de publicación	24 de agosto de 2011
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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