Performance Comparisons of III–V and Strained-Si in Planar FETs and Nonplanar FinFETs at Ultrashort Gate Length (12 nm)

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Autoría	autor: Mehdi Salmani-Jelodar  Neerav Kharche  Gerhard Klimeck  Mathieu Luisier
Fecha de publicación	agosto 2012
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