The fabrication of back-gated high electron mobility transistors — a novel approach using MBE regrowth on an in situ ion beam patterned epilayer

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Descripción
Autoría	autor: David A Ritchie  Alex Hamilton  Geraint A. C. Jones  Edmund Linfield
Fecha de publicación	febrero 1993
Idioma
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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