Response to “Comment on ‘The effects of Si doping on dislocation movement and tensile stress in GaN films’” [J. Appl. Phys. 109, 073509 (2011)]

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Autoría	autor: Colin Humphreys  Menno J Kappers  Fabien C-P Massabuau  Rachel Angharad Oliver
Fecha de publicación	noviembre 2011
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Estatus de derecho de autor	Private domain
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