The consequences of high injected carrier densities on carrier localization and efficiency droop in InGaN/GaN quantum well structures
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Simon Hammersley Colin Humphreys Duncan Watson-Parris Menno J Kappers P. Dawson Rachel Angharad Oliver |
| Fecha de publicación | 15 de abril de 2012 |
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| País de origen | |
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