Defect Reduction in Semi-Polar (112̄2) Gallium Nitride Grown Using Epitaxial Lateral Overgrowth
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Tom J. Badcock Danny Sutherland Menno J Kappers Tongtong Zhu P. Dawson Rachel Angharad Oliver |
| Fecha de publicación | 1 de agosto de 2013 |
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| País de origen | |
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