Correlations between the morphology and emission properties of trench defects in InGaN/GaN quantum wells
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Colin Humphreys Fabrice Oehler Menno J Kappers Tongtong Zhu Fabien C-P Massabuau Rachel Angharad Oliver |
| Fecha de publicación | 21 de febrero de 2013 |
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| País de origen | |
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