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Structural, electronic, and optical properties ofm-plane InGaN/GaN quantum wells: Insights from experiment and atomistic theory

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Descripción
Autoría

autor: Miguel A Caro  S. Schulz  Colin Humphreys  Fabrice Oehler  Tomas L. Martin  Menno J Kappers  James T. Griffiths  Fengzai Tang  P. Dawson  Rachel Angharad Oliver 

Fecha de publicación 10 de diciembre de 2015
Idioma inglés
País de origen
Enlace a Wikipedia
Acceder a la obra

https://archive.org/details/arxiv-1509.07099

Estatus de derecho de autor Private domain
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