Coexistence of Grain-Boundaries-Assisted Bipolar and Threshold Resistive Switching in Multilayer Hexagonal Boron Nitride

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Descripción
Autoría	autor: Ilia Valov
Fecha de publicación	1 de febrero de 2017
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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