Effect of ion bombardment on deep photoluminescence bands in p-type boron-modulation-doped Si layers grown by molecular-beam epitaxy.

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Descripción	artículo científico publicado en 1995
Autoría	autor: Bo Monemar
Fecha de publicación	1 de octubre de 1995
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Private domain
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