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Impact of Stoichiometry on the Structure of van der Waals Layered GeTe/Sb2 Te3 Superlattices Used in Interfacial Phase-Change Memory (iPCM) Devices.

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Descripción artículo científico publicado en 2018
Autoría

autor: Philippe Kowalczyk  Françoise Hippert  Pierre Noé 

Fecha de publicación 14 de mayo de 2018
Idioma
País de origen
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