High-Mobility Holes in Dual-Gated WSe2 Field-Effect Transistors
| Imagen |  |
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| Descripción | artículo científico publicado en 2015 |
| Autoría |
autor: Amritesh Rai Sangwoo Kang Babak Fallahazad Emanuel Tutuc Kenji Watanabe Kyounghwan Kim Hema C. P. Movva Takashi Taniguchi |
| Fecha de publicación | 5 de septiembre de 2015 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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