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Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors.

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Descripción artículo científico publicado en 2016
Autoría

autor: Johnny C. Ho  Xuming Zou  Lin He  Chun-Wei Huang  Shanshan Chen 

Fecha de publicación 13 de enero de 2016
Idioma inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor Desconocido
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