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Effects of Electrode Layer Band Structure on the Performance of Multilayer Graphene-hBN-Graphene Interlayer Tunnel Field Effect Transistors

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Descripción artículo científico publicado en 2016
Autoría

autor: Amritesh Rai  Sangwoo Kang  Nitin Prasad  Emanuel Tutuc  Kenji Watanabe  Kyounghwan Kim  Hema C. P. Movva  Takashi Taniguchi 

Fecha de publicación 14 de julio de 2016
Idioma inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor Private domain
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