Gate-Tunable Hole and Electron Carrier Transport in Atomically Thin Dual-Channel WSe2 /MoS2 Heterostructure for Ambipolar Field-Effect Transistors

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Descripción	artículo científico publicado en 2016
Autoría	autor: James Hone
Fecha de publicación	13 de septiembre de 2016
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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