GaN as an interfacial passivation layer: tuning band offset and removing fermi level pinning for III-V MOS devices.
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 2015 |
| Autoría |
autor: Zhaofu Zhang Robert M Wallace Yahui Cheng Kyeongjae Cho Hao-Bo Li |
| Fecha de publicación | 25 de febrero de 2015 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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