Vertical and In-Plane Current Devices Using NbS2/n-MoS2 van der Waals Schottky Junction and Graphene Contact. - Dominio Público Uruguay

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Vertical and In-Plane Current Devices Using NbS2/n-MoS2 van der Waals Schottky Junction and Graphene Contact.

artículo científico publicado en 2018

Autoría

Detalles de la obra

Fecha de publicación: 8 de febrero de 2018

Idioma: inglés

País de origen: Desconocido

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