Ambipolar MoS2 Transistors by Nanoscale Tailoring of Schottky Barrier Using Oxygen Plasma Functionalization.
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 2017 |
| Autoría |
autor: Filippo Giannazzo Michelangelo Scopelliti Simonpietro Agnello Giuseppe Greco Ioannis Deretzis Fabrizio Roccaforte Bruno Pignataro |
| Fecha de publicación | 26 de junio de 2017 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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