Room-Temperature Activation of InGaZnO Thin-Film Transistors via He+ Irradiation
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|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 2017 |
| Autoría |
autor: Michael G Stanford Anton V Ievlev Philip D. Rack Petro Maksymovych |
| Fecha de publicación | 21 de septiembre de 2017 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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