Floating-Gate Manipulated Graphene-Black Phosphorus Heterojunction for Nonvolatile Ambipolar Schottky Junction Memories, Memory Inverter Circuits, and Logic Rectifiers.

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Descripción	artículo científico publicado en 2017
Autoría	autor: Zengxing Zhang  Dong Li
Fecha de publicación	2 de octubre de 2017
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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