A novel low temperature soft reflow process for the fabrication of deep-submicron (<0.35 μm) T-gate pseudomorphic high electron mobility transistor structures

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Descripción	artículo científico publicado en 2013
Autoría	autor: Mohamed Missous
Fecha de publicación	16 de enero de 2013
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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